Simone米米卡的使用说明
的有关信息介绍如下：
（1）在IC生产中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，精度可达5nm。
（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。
（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察。
（4）FIB制备透射电镜超薄样，利用FIB精确的定位行对样品进行减薄，可以制备出厚度100nm左右的超薄样品。
详细内容苏试宜特检测
